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体验横跨多个平台的每一次像素化重拳、每一次蛛网摆荡和每一次光学冲击。我们没有仅仅挑选某个最受欢迎的版本——每一部主要的家用机和街机迭代作品都包含在内。无论你是握着手柄长大，还是口袋里揣着游戏代币长大，《MARVEL MaXimum Collection》都是对忠实粉丝的终极致敬。
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《漫威终极合集》将于3月27日发售！实体版预购3月开启
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掌上梅州讯 近日，梅州市教育局印发《关于做好我市2026年初中学业水平考试报名工作的通知》（以下简称《通知》），明确我市2026年中考报名工作将于3月9日正式启动，初二、初三考生分时段报名，考试总分维持850分不变。
在报名条件方面，《通知》指出，凡符合下列条件之一且未在2025年报名的考生，可补报名参加我市2026年中考：具有我市初中学籍的2026年初中应届毕业生；具有我市户籍在外地就读的2026年初中应届毕业生；具有我市户籍的初中往届毕业生；我市初中学校毕业的非本市户籍往届毕业生。符合下列条件之一者，可报名参加我市2026年中考地理、生物科目及2027年其他科目考试：具有我市初中学籍的2026年初中二年级在校生；具有我市户籍在外地就读的2026年初中二年级在校生。通知明确，初三考生补报名时间为3月9日10:00至12日17:30，初二考生报名时间为3月13日10:00至16日17:30。
在考试科目及分值方面，《通知》明确，2026年初三应届毕业生考试共12科：语文、数学、英语、物理、化学、历史、道德与法治、体育、英语听说、物理实验操作、化学实验操作、生物实验操作；未在我市参加地理、生物科目考试的考生和往届毕业生需增加地理、生物科目考试。2026年初二考生考试共2科：地理、生物。
2026年计入高中阶段学校招生录取分值如下：语文、数学、英语各120分(其中英语笔试90分、听说考试30分)，物理100分（含实验操作10分），化学（含实验操作8分）、历史各80分，道德与法治60分，地理、生物（含实验操作4分）各40分，体育90分，10科总分共850分。
《通知》还对报名流程进行了详细说明。报名分领取准考证号和密码、网上报名、电子摄像、报名缴费、签名确认五个流程。需要注意的是，2026届考生在中考地理、生物科目考试后进行转学的可以在转入学校所在考点参加我市今年中考，考号不变，生源属于转入学校，转入学校必须在市中考报名系统中办理有关转学转考申请并经转出学校审核同意。考生在转出学校所缴交考试费不划转，转入学校不得再向考生收取考试费。
此外，在我市取得地理、生物科目学业考试成绩后，因身体原因经批准休学的考生，原地理、生物科目学业考试笔试成绩按照权重比例计入2026年中考总成绩。2025年在我市参加过地理和生物科学业考试的应届生，不得再报名参加2026年地理和生物科学业考试。2025年初二期间已在我市报名的考生，如果自动放弃参加我市2026年中考其他各科目学业考试，考试费不予退还。
外省户籍进城务工人员随迁子女在我市就读初级中学并参加我市中考的，可报读我市高中阶段学校，高中阶段学校毕业后需要在我市参加高考的，要符合我省当年高考报名条件，不符合我省高考报名条件的，需回户籍地参加高考。根据《广东省华侨权益保护条例》，华侨学生可以在其父母出国前或者其祖父母、外祖父母户籍所在地参加高中阶段的招生考试，与当地户籍学生享受同等待遇。我市初中学校毕业的非本市户籍往届毕业生，由原初中毕业学校（以广东省九年义务教育证书为准）所在地的县（市、区）招生办负责安排此类考生的中考报名工作。
梅州日报记者：吴海清
编辑：罗欢欢
审核：蔡颜颜
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梅州2026年中考报名3月9日启动！考试总分850分

内容简介:

最近关心

　　梅泽在博客中坦言，萌生毕业念头已是多年前的事：“一次次送别前辈、同期与后辈，凝视着她们耀眼的背影，我总在思索自己何时会做出这个选择。”她解释选择此刻毕业的原因：“能在组合近年来的重大转型期与珍贵的同期及后辈并肩作战，对我而言只有满满的幸福。如今看着后辈们日渐可靠的模样，感受到她们逐渐积累的自信与渴望，我决心在此刻毕业。”
　　关于毕业演唱会，梅泽坚定表示：“我将全力以赴透过演出展现我心中最爱的乃木坂风貌。必定倾注心血打造一场值得铭记的演唱会。”
　　梅泽美波1999年1月6日出生于神奈川县，2016年9月作为三期生加入乃木坂46，2023年2月正式就任组合第三代队长。其偶像生涯即将在东京巨蛋的舞台上迎来最终章。
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乃木坂46队长梅泽美波宣布毕业 5月21日东京巨蛋举行最终演唱会
楠达
拉科特昂库藏
埃尔姆 (朗德省)
随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。

本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" alt="DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用" style="width:120px;height:80px;">
DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用
阿雷讷
萨卢瓦尔
乌什 (卢瓦尔省)

友情链接：马萨讷圣索沃尔 (菲尼斯泰尔省)特雷古雷 (菲尼斯泰尔省)特里宰-库特勒托-圣塞尔日圣埃利夫拉努阿尔诺罗艾尔罗比亚克-罗什萨杜勒普吕奈勒日隆圣但尼代皮吉莱尔拉弗耶莫莱昂朗里沃阿雷勒蓬图圣昂日和托尔赛当热欧比萨尔格朗代诺普洛埃旺洛格龙圣吕班德拉艾朗波勒普卢达尔梅佐勒潘 (加尔省)马尔维尔-穆捷布吕莱普尔代加特索赛迪永斯卡斯泰尔诺-瓦朗斯卡维亚尔格洛戈纳达乌拉斯勒韦尔库尔伯祖斯普卢达涅勒庞克朗戛纳和克莱朗拉兹 (菲尼斯泰尔省)贝隆河畔里耶克莱斯讷旺奥莱 (厄尔-卢瓦省)

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